參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1408
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power Amplifier Applications
中文描述： 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： KSD1408
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE1
Classification
Classification
h
FE1
Parameter
Value
80
80
5
4
0.4
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 50mA, I
B
= 0
V
CB
= 80V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
I
C
= 3A. I
B
= 0.3A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CB
= 10V, f = 1MHz
Min.
80
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
30
100
240
DC Current Gain
40
15
50
0.45
1
8
90
1.5
1.5
V
V
MHz
pF
R
O
Y
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
KSD1408
Power Amplifier Applications
Complement to KSB1017
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD1413 Power Amplifier Applications
KSD1616 NPN (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER MIDIUM SPEED SWITCHING)
KSD1616A NPN (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER MIDIUM SPEED SWITCHING)
KSD1616 Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching
KSD1616A Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSD14080TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
KSD1408GTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1408OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1408YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1413 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*