參數(shù)資料
型號： KSD2058
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： KSD2058
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
V
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(Sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
60
60
7
3
0.5
1.5
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
I
C
= 50mA, I
B
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CB
= 10V, f = 1MHz
V
CC
= 30V, I
C
= 2A
I
B1
= - I
B2
= 0.2A
R
L
= 15
Min.
Typ.
Max.
10
1
Units
μ
A
mA
V
60
8
1.5
V
V
3
0.4
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
35
0.65
1.3
0.65
O
Y
G
h
FE
60 ~ 120
100 ~ 200
150 ~ 300
KSD2058
Low Frequency Power Amplifier
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD210AC8 SOLID STATE RELAY
KSD261CGTA_NL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD261 NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
KSD261 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD261CGBU LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSD2058YTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD2058YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD205AC3 制造商:COSMO 制造商全稱:COSMO Electronics Corporation 功能描述:SOLID STATE RELAY
KSD205AC3_11 制造商:COSMO 制造商全稱:COSMO Electronics Corporation 功能描述:PRODUCT SPECIFICATION
KSD205DC12 制造商:Hasco Components International Corp 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*