參數(shù)資料
型號(hào)： KSD261
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
中文描述： npn型（低頻功率放大器）
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 67K
代理商： KSD261
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD261 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD261CGBU LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD261CYBU 5GHz Relay, 2 Form C, 10mA 10VDC, 50ohms, SMD
KSD261YBU LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD261YTA LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSD261_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSD261CGBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD261CGTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD261CGTA_NL 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSD261CGTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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