參數(shù)資料
型號： KSD261CGTA_NL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： KSD261CGTA_NL
0.46
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
(R2.29)
3
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[1.27
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0.20
]
3.60
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1
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0
1
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0
(
4
±
0
4.58
+0.25
0.38
+0.10
–0.05
0
+
–
TO-92
Package Dimensions
K
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD261 NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
KSD261 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD261CGBU LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD261CYBU 5GHz Relay, 2 Form C, 10mA 10VDC, 50ohms, SMD
KSD261YBU LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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KSD261CYBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD261CYTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD261CYTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD261G 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
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