參數(shù)資料
型號(hào)： KSD568
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： KSD568
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : KSD568
* PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
10%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
*Base-Emitter Saturation Voltage
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
100
60
80
7
7
15
3.5
40
1.5
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
: KSD569
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Test Condition
Min.
Max.
10
10
200
Units
μ
A
μ
A
V
CB
= 80V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 1V, I
C
= 3A
V
CE
= 1V, I
C
= 5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
*DC Current Gain
40
20
0.5
1.5
V
V
R
O
Y
h
FE1
40 ~ 80
60 ~ 120
100 ~ 200
KSD568/569
Low Frequency Power Amplifier
Low Speed Switching Industrial Use
Complement to KSB707/708
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD569 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD5702 High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (Damper Diode Built In)
KSD5707 High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output
KSD73 Low Frequency High Power Amplifier
KSD880 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
KSD568OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD568RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD568YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD569 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSD569OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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