參數(shù)資料
型號(hào)： KSD569
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： KSD569
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Derating Curve Of Safe Operating Areas
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0
10
20
30
40
50
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
B
= 2mA
I
B
= 4mA
I
B
= 6mA
I
B
= 8mA
I
B
= 10mA
I
B
= 16mA
I
B
= 14mA
I
B
= 18mA
I
B
= 12mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 1V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
SbLMTED
S/b LIMITED
d
C
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
SbLMTED
DSSPATONLMTED
50us
300u
1ms
10m
100u
100ms
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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KSD569RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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