參數(shù)資料
型號： KSE172
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications
中文描述： 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： KSE172
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A1, January 2001
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. DC current Gain
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
14
16
P
C
[
Tc[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSE172STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE180 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications
KSE180S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE181 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications
KSE181STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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