參數(shù)資料
型號(hào)： KSE5020
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Feature
中文描述： 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： KSE5020
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current (DC)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
CEX
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
800
500
7
3
6
1
30
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 5mA, R
BE
=
∞
I
E
= 1mA, I
C
= 0
I
C
= 1.5A, I
B
1=-I
B
2= 0.6A
L = 2mH, Clamped
V
CB
= 500V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.3A
V
CE
= 5V, I
C
= 1.5A
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.3A
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.3A
V
CB
= 10V, f = 1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0.3A
V
CC
= 200V
5I
B
1 = -2.5I
B
2=I
C
=2A
RL = 100
Min.
800
500
7
500
Typ.
Max.
Units
V
V
V
V
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
t
ON
t
S
t
F
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
10
10
50
μ
A
μ
A
15
8
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Turn ON Time
Storage Time
Fall Time
1
1.5
V
V
pF
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
50
18
0.5
3
0.3
R
O
Y
h
FE1
15 ~ 30
20 ~ 40
30 ~ 50
KSE5020
Feature
High Voltage, High Quality High Speed Switching : t
F
=0.1
μ
s
WIDE SOA
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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KSE5741 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Power Switching In Inductive Circuits
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