參數(shù)資料
型號(hào)： KSH2955
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
中文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： KSH2955
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A4, October 2002
K
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Turn On Time
Figure 4. Turn Off Time
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
1
-0.1
-1
-10
10
100
1000
V
CE
=-2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
=10I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
V
CC
=-30V
I
C
=10I
B
I
B
1=I
B2
V
BE
(off)=5V
t
D
t
R
t
R
,
D
[
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
t
F
t
STG
V
CC
=-30V
I
C
=10I
B
I
B1
=I
B2
t
F
,
S
[
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
DC
5ms
1ms
500
μ
s
100
μ
s
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSH2955TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSH2955TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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