參數(shù)資料
型號(hào)： KSP2222
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： General Purpose Transistor
中文描述： 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 44K
代理商： KSP2222
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
* Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
60
30
5
600
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=50V, I
E
=0
V
CE
=10V, I
C
=0.1mA
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CE
=10V, I
C
=10mA
V
CE
=10V, *I
C
=150mA
V
CE
=10V, *I
C
=500mA
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=20V, I
C
=20mA
f=100MHz
V
CC
=30V, V
BE(off)
=0.5V
I
C
=150mA, I
B1
=15mA
V
CC
=30V, I
C
=150mA
I
B1
=I
B2
=15mA
Min.
60
30
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
10
35
50
75
100
30
300
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
1.6
1.3
2.6
8
V
V
V
V
pF
MHz
V
BE
(sat)
* Base Emitter Saturation Voltage
C
ob
f
T
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
250
t
ON
Turn On Time
35
ns
t
OFF
Turn Off Time
285
ns
KSP2222
General Purpose Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
= 30V
Collector Dissipation: P
C
(max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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