參數(shù)資料
型號： KST55
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PLUG, SPEAKON, 8WAY
中文描述： 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： KST55
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Marking Code
Parameter
Value
Units
Collector Base Voltage
: KST55
: KST56
-60
-80
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KST55
: KST56
-60
-80
-4
-500
350
150
357
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
STG
R
TH
(j-a)
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Storage Temperature
Thermal Resistance junction to Ambient
mA
mW
°
C
°
C/W
Test Condition
Min.
Max.
Units
: KST55
: KST56
I
C
= -1mA, I
B
=0
-60
-80
-4
V
V
V
μ
A
BV
EBO
I
CBO
I
CEO
* Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Collector Cut-off Current
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -60V, I
E
=0
-0.1
: KST55
: KST56
V
CE
= -60V, I
B
=0
V
CE
= -80V, I
B
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -10mA
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
f=100MHz
-0.1
-0.1
μ
A
μ
A
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
DC Current Gain
50
50
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
-0.25
-1.2
V
V
50
MHz
Type
Mark
KST55
2H
KST56
2G
KST55/56
Driver Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
= KST55: - 60V
KST56: - 80V
Collector Power Dissipation: P
C
(max) = 350mW
Complement to KST05/06
2H
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
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PDF描述
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KSV1401 SILICON HYPERABRUPT TUNING DIODES
KSV1402 SILICON HYPERABRUPT TUNING DIODES
KSV1403 SILICON HYPERABRUPT TUNING DIODES
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參數(shù)描述
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KST5551 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor
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