參數(shù)資料
型號(hào)： L6382DTR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Power management unit for microcontrolled ballast
中文描述： 微控鎮(zhèn)流器功率管理單元
文件頁(yè)數(shù)： 11/22頁(yè)
文件大?。?/td> 294K
代理商： L6382DTR
L6382D
Typical electrical performance
11/22
5
Typical electrical performance
Figure 3.
UVLO thresholds [V] vs. T
J
Figure 4.
V
CC
zener voltage [V] vs. T
J
Figure 5.
VREF [V] vs. T
J
Figure 6.
Overcurrent protection
threshold [V] vs. T
J
Figure 7.
Propagation delays [ns] high
to low vs. T
J
Figure 8.
Propagation delays [ns] low to
high vs. T
J
7
8
9
10
11
12
13
14
15
-40
-25
0
25
50
75
100
125
Vcc(on)
Vcc(off)
14
15
16
17
18
19
20
21
-40
-25
0
25
50
75
100
125
3.1
3.15
3.2
3.25
3.3
3.35
3.4
3.45
3.5
-40
-25
0
25
50
75
100
125
500
520
540
560
580
600
-40
-25
0
25
50
75
100
125
0
50
100
150
200
250
300
-40
-25
0
25
50
75
100
125
HS
LS
PF
0
50
100
150
200
250
300
-40
-25
0
25
50
75
100
125
HS
LS
PF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
L6384 High-Voltage Half Bridge Driver(高電壓半橋驅(qū)動(dòng)器)
L6385 High-Voltage High and Low Side Driver(高電壓高低邊驅(qū)動(dòng)器)
L6386 High-Voltage High and Low Side Driver(高電壓高低邊驅(qū)動(dòng)器)
L6388 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
L6388D HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
L6384 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
L6384 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V HALF BRIDGE DRIVER 6384 DIP8
L6384D 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
L6384D 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC MOSFET DRIVER HALF BRIDGE ((NW))
L6384D 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V HALF BRIDGE DRIVER SMD 6384
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