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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | L8711P |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | L8711P |
L1C 1 DIE ID, GM vs VG
1
10
100
0
2
4
6
Vgs in Volts
8
10
12
14
ID
G
M
L1C 1DIE CAP ACIT ANCE
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
L 8 7 1 1 P P i n v s P o u t F = 5 0 0 M H Z ;
I d q = . 4 ; V d s = 7 . 5 V d c
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
P i n i n wa t t s
9
10
11
12
13
14
15
Pout
Gain
Efficiency@7W=50%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
L8711P
L1C 1 DIE IV
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION
12/12/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L8721P | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L88016 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L8801P | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L8821P | CAP CER 470PF 25V X7R 0201 |
| L8C201 | 512/1K/2K/4K x 9-bit Asynchronous FIFO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| L8712(FECONLY) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IC TUBE FOR TO-220 508MM |
| L871E | 制造商:VERMASON 功能描述:END PLUG TO-220 TUBE |
| L87207304 | 制造商:Molex 功能描述: |
| L8721 | 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: |
| L8721P | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
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