- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377600 > L88016 (Polyfet RF Devices) SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | L88016 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | L88016 |
L2B 1 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L2B 1 DIE CAP ACIT ANCE
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
L88016 P OUT vs P IN F= 500 MHZ; IDQ= 0.4A; VDS = 28V
10
15
20
25
30
35
40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
P IN IN WAT T S
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
POUT
GAIN
Efficiency = 55%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
L88016
L2A 1 DICE IV
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 04/27/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L8801P | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L8821P | CAP CER 470PF 25V X7R 0201 |
| L8C201 | 512/1K/2K/4K x 9-bit Asynchronous FIFO |
| L9012LT1 | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| L9012LT1G | General Purpose Transistors PNP Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| L8801P | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L8802 | 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: |
| L8805 | 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: |
| L8812 | 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: |
| L8813 | 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。