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參數(shù)資料
| 型號： | LC3564QS-10 |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | LC3564QS-10 |
[3-V Operation]
No. 5804-5/9
LC3564B, BS, BM, BT-70/10
Note
*
: Reference values at V
CC
= 3 V, Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Supply voltage
V
CC
V
IH
V
IL
2.7
3.0
3.3
V
Input voltage
V
CC
– 0.2
V
CC
0.2
V
0
V
DC Allowable Operating Ranges
at Ta = –40 to +85°C, V
CC
= 2.7 to 3.3 V
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
*
max
Input leakage current
I
LI
V
IN
= 0 to V
CC
V
CE1
= V
IH
or V
CE2
= V
IL
or V
OE
= V
IH
or
V
WE
= V
IL
, V
I/O
= 0 to V
CC
I
OH
= –0.5 mA
I
OL
= 1.0 mA
V
CE1
≤
V
IL
, V
CE2
≥
V
IH
,
I
I/O
= 0 mA, V
IN
≤
V
IL
or
V
IN
≥
V
IH
V
CE1
≤
V
IL
,
V
CE2
≥
V
,
I
= 0 mA,
DUTY = 100%
–1.0
+1.0
μA
I/O leakage current
I
LO
–1.0
+1.0
μA
Output high-level voltage
V
OH
V
OL
V
CC
– 0.2
V
Output low-level voltage
0.2
V
Ta
≤
70°C
0.01
0.8
μA
I
CCA1
Ta
≤
85°C
2.5
Operation supply current
V
CC
– 0.2 V/0.2 V
inputs
min
LC3564B,BS, BM, BT-70
20
mA
I
CCA4
cycle
LC3564B,BS,BM,BT-10
10
1 μs cycle
3
mA
Standby mode supply
current
V
CC
– 0.2 V/0.2 V
inputs
V
CE2
≤
0.2 V or
V
CE1
≥
V
IH
V
CE2
≥
V
IH
Ta
≤
70°C
0.01
0.8
μA
I
CCS1
Ta
≤
85°C
2.5
DC Electrical Characteristics
at Ta = –40 to +85°C, V
CC
= 2.7 to 3.3 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LC3564QS-70 | x8 SRAM |
| LC3564QS-85 | x8 SRAM |
| LC3564RM-10LV | x8 SRAM |
| LC3564S-85 | |
| LC3564SM-70 | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LC3564QS-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| LC3564QS-85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| LC3564RM | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:64K (8192 words x 8 bits) SRAM |
| LC3564RM-10LV | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| LC3564RM-12LV | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述: |
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