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參數(shù)資料
| 型號： | LC821 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強型射頻功率LDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | LC821 |
L2C 1 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L2C1DIE CAP ACIT ANCE
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
L C 8 2 1 F = 5 0 0 M H z , V d s = 1 2 . 5 V d c , I d q = . 4 A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
P i n i n W a t t s
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
9
10
11
12
13
14
Pout
Gain
Efficiency = 60%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
LC821
L2C 1 DIE IV
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
12
14
16
18
20
VDS I10
Vg=6v
I
vg=2v
Vg=4v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 05/01/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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