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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LDTA114TM3T5G |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 偏置電阻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | LDTA114TM3T5G |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LDTA114EM3T5G_S-8/11
LDTA114EM3T5G_Series
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS LDTA114YM3T5G
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
100
10
10
2
4
6
8
10
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
00
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
I
h
Figure 17. V
CE(sat)
versus I
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
VC
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
25
°
C
25
°
C
T
A
=75
°
C
V
CE
= 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
15
20 40
50 60 70
80 90
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
LOAD
+12 V
Figure 22. Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
25
°
C
I
C
/I
B
= 10
T
A
=25
°
C
T
A
=75
°
C
25
°
C
25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
25
°
C
T
A
=25
°
C
75
°
C
75
°
C
Version 1.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LDTA114YM3T5G | Bias Resistor Transistors |
| LDTA115EM3T5G | Bias Resistor Transistors |
| LDTA123EM3T5G | Bias Resistor Transistors |
| LDTA123JM3T5G | Bias Resistor Transistors |
| LDTA124EM3T5G | Bias Resistor Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LDTA114YET1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors |
| LDTA114YM3T5G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors |
| LDTA115EM3T5G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors |
| LDTA123EET1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors |
| LDTA123EET1G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors |
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