參數(shù)資料
型號(hào)： LFE15600X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-448A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： LFE15600X
1997 Feb 19
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LFE15600X
Fig.5 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V; f = 1500 MHz.
0
4
8
16
80
60
20
0
40
MBD394
12
PL
(W)
Pi
ICQ
400 mA
200 mA
100 mA
Fig.6
Intermodulation distortion as a function of
average output power.
V
CE
= 24 V; f
1
= 1500 MHz; f
2
= 1500.2 MHz.
0
50
10
20
50
MBD395
30
dim
(dB)
Po (av)
45
40
35
30
25
20
40
ICQ
400 mA
200 mA
100 mA
Input and optimum load impedances
V
CE
= 24 V; I
CQ
= 0.2 A.
f
(GHz)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
1.50
1.55
1.60
1.65
1.70
2.4 + j3.4
3.0 + j3.6
3.5 + j3.8
4.2 + j3.8
4.8 + j2.5
2.4
j1.8
2.3
j1.7
2.2
j1.6
2.1
j1.5
1.8
j1.5
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