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參數資料
| 型號： | LH28F016LL |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600（100萬】16日，2分】8）閃存 |
| 文件頁數： | 34/37頁 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | LH28F016LL |
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LH28F016SU
16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
34
AC Characteristics for Page Buffer Write Operations
1
T
A
= 0°C to +70°C
NOTES:
CE
is defined as the latter of CE
0
or CE
1
going Low or the first of CE
0
or CE
1
going High.
1. These are WE
controlled write timings, equivalent CE
controlled write timings apply.
2. Sampled, but not 100% tested.
3. Address must be valid during the entire WE
Low pulse.
SYMBOL
PARAMETER
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V
UNITS
NOTE
TYP.
MIN.
MAX.
t
AVAV
Write Cycle Time
120
ns
t
ELWL
CE
Setup to WE Going Low
10
ns
t
AVWL
Address Setup to WE Going Low
0
ns
3
t
DVWH
Data Setup to WE Going High
75
ns
2
t
WLWH
WE Pulse Width
75
ns
t
WHDX
Data Hold from WE High
10
ns
2
t
WHAX
Address Hold from WE High
10
ns
2
t
WHEH
CE
Hold from WE High
10
ns
t
WHWL
WE Pulse Width High
45
ns
t
GHWL
Read Recovery before Write
0
ns
t
WHGL
Write Recovery before Read
95
ns
SYMBOL
PARAMETER
V
CC
= 5.0 V ± 0.25 V
V
CC
= 5.0 V ± 0.5 V
UNITS
NOTE
TYP.
MIN.
MAX.
TYP.
MIN.
MAX.
t
AVAV
Write Cycle Time
70
80
ns
t
ELWL
CE
Setup to WE Going Low
0
0
ns
t
AVWL
Address Setup to WE Going Low
0
0
ns
3
t
DVWH
Data Setup to WE Going High
50
50
ns
2
t
WLWH
WE Pulse Width
40
50
ns
t
WHDX
Data Hold from WE High
0
0
ns
2
t
WHAX
Address Hold from WE High
10
10
ns
2
t
WHEH
CE
Hold from WE High
10
10
ns
t
WHWL
WE Pulse Width High
30
30
ns
t
GHWL
Read Recovery before Write
0
0
ns
t
WHGL
Write Recovery before Read
60
65
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F016SA | 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SANS | 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| LH28F016SC-L | 16 M-bit (2 MB x 8) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F016SCH | 16-MBIT(2 MB x 8) SmartVoltage Flash MEMORY |
| LH28F016SCH-L | 16 M-bit (2 MB x 8) SmartVoltage Flash Memories |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LH28F016LLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SA | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SANS | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| LH28F016SANS-70 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| LH28F016SAT-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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