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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LK702 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | LK702 |
L1B 2 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L1B 2DIE CAP ACIT ANCE
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
LK 702 P OUT VS P IN F = 500 MHZ ; IDQ= 0.6A; VDS = 28V
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
PIN IN dBm
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
Efficiency = 52%
Pout
Gain
1dB compresion = 80W
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
LK702
L1B 2 DIE IV
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 04/30/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LK721 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| LK802 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| LK822 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| LL101A-GS08 | Diode Small Signal Schottky 60V 0.03A 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R |
| LL101C-GS08 | Diode Small Signal Schottky 40V 0.03A 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LK721 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| LK722 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR Push - Pull |
| LK75-F | 制造商:ABB Low Voltage Products and Systems 功能描述:AUX LEAD TEEM,FRONT,A50-A75 |
| LK7701-7RB2 | 制造商:Power-One 功能描述:- Bulk |
| LK-8 | 制造商:Shinagawa Shoko 功能描述: |
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