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參數(shù)資料
| 型號： | LK822 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | LK822 |
L2C 2 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L2C 2DIE CAP ACIT ANCE
1
10
100
1000
0
2
4
6
VDS IN VOLT S
8
10
12
14
Coss
Ciss
Crss
LK 822 P OUT VS P IN F = 400MHZ , IDQ= 1.6A, VDS = 12.5V
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
P IN IN WAT T S
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
17.00
18.00
19.00
20.00
21.00
22.00
POUT
GAIN
Efficiency = 60%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
S11 & S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
LK822
L2C 2 DICE IV
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
12
14
16
18
20
VDS I10
Vg=6v
I
vg=2v
Vg=4v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/08/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| LL101B-GS08 | LL101A, LL101B, LL101C Small Signal Schottky Diodes |
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參數(shù)描述 |
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