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參數(shù)資料
| 型號： | LM4040EIZ-2.5 |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available |
| 中文描述： | 1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 2.5 V, PBCY3 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 22/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 482K |
| 代理商： | LM4040EIZ-2.5 |
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LM4040x10I Electrical Characteristics
at industrial temperature range, full-range T
A
= –40
°
C to 85
°
C (unless otherwise noted)
V
Z
I
Z
LM4040
PRECISION MICROPOWER SHUNT VOLTAGE REFERENCE
SLOS456I–JANUARY 2005–REVISED DECEMBER 2005
LM4040A10I
MIN
LM4040B10I
MIN
PARAMETER
TEST CONDITIONS
T
A
UNIT
TYP
10
MAX
TYP
10
MAX
V
Z
Reverse breakdown voltage
I
Z
= 150
μ
A
25
°
C
25
°
C
V
–10
–75
10
75
–20
–85
20
85
Reverse breakdown voltage
tolerance
V
Z
I
Z
= 150
μ
A
mV
Full range
25
°
C
Full range
25
°
C
25
°
C
Full range
25
°
C
25
°
C
Full range
25
°
C
Full range
75
100
103
75
100
103
I
Z,min
Minimum cathode current
μ
A
I
Z
= 10 mA
±
40
±
20
±
40
±
20
Average temperature coefficient
of reverse breakdown voltage
α
VZ
I
Z
= 1 mA
ppm/
°
C
±
100
±
100
I
Z
= 150
μ
A
±
20
0.8
±
20
0.8
1.5
3.5
12
23
1.5
3.5
12
23
I
Z,min
< I
Z
< 1 mA
Reverse breakdown voltage
change with cathode current
change
mV
8
8
1 mA < I
Z
< 15 mA
I
Z
= 1 mA, f = 120 Hz,
I
AC
= 0.1 I
Z
I
= 150
μ
A,
10 Hz
≤
f
≤
10 kHz
t = 1000 h,
T
A
= 25
°
C
±
0.1
°
C,
I
Z
= 150
μ
A
T
A
= –40
°
C to 125
°
C
Z
Z
Reverse dynamic impedance
25
°
C
0.7
1.7
0.7
1.7
e
N
Wideband noise
25
°
C
180
180
μ
V
RMS
Long-term stability of reverse
breakdown voltage
120
120
ppm
V
HYST
Thermal hysteresis
(1)
0.08
0.08
%
(1)
Thermal hysteresis is defined as V
Z,25
°
C
(after cycling to –40
°
C) – V
Z,25
°
C
(after cycling to 125
°
C).
22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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