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參數(shù)資料
| 型號： | LMBT4401LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistor |
| 中文描述： | 通用晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | LMBT4401LT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LMBT4401LT1–5/6
STATIC CHARACTERISTICS
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. DC Current Gain
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 16. Collector Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 17. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 18. Temperature Coefficients
h
F
,
V
C
,
I
C
=1.0 mA
T
J
= 125°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
=10 V
25°C
–55°C
10 mA
T
J
= 25°C
100mA
500mA
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
20
300
500
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.01
0.02
0.03
0.05 0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
C
T
J
= 25°C
θ
VC
for V
CE(sat)
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
=10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
=10
V
BE
@ V
CE
=1.0 V
θ
VB
for V
BE
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
10
0.8
0.6
0.4
0.2
0
+0.5
0
– 0.5
–1.0
–1.5
–2.0
– 2.5
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
LMBT4401LT1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LMBT4401LT1G | General Purpose Transistor |
| LMBT4403LT1 | General Purpose Transistors (PNP SILICON) |
| LMBT4403LT1G | General Purpose Transistors (PNP SILICON) |
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| LMBT5087LT1G | Low Noise Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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