參數(shù)資料
型號(hào)： LNA2903L
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 紅外LED
英文描述： GaAs Infrared Light Emitting Diode
中文描述： 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
封裝： PLASTIC, LT5RR102-001, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： LNA2903L
1
Infrared Light Emitting Diodes
LNA2903L
GaAs Infrared Light Emitting Diode
1
5.0
±
0.2
2.54
2-1.0
±
0.15
2-0.6
±
0.15
7
±
0
±
0
±
0
1
±
1
3
±
0
1
±
1
1
1
2
N
1: Cathode
2: Anode
Unit : mm
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
I
e
λ
P
λ
V
F
I
R
C
t
θ
Conditions
min
9
typ
max
Unit
mW/sr
nm
nm
V
μ
A
pF
deg.
Radiant intensity at center
Peak emission wavelength
Spectral half band width
Forward voltage (DC)
Reverse current (DC)
Capacitance between pins
Half-power angle
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 100mA
V
R
= 3V
V
R
= 0V, f = 1MHz
950
50
1.4
1.6
10
35
25
The angle in which radiant intencity is 50%
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
P
D
I
F
I
FP*
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
160
100
1.5
3
–25 to +85
– 40 to+100
Unit
mW
mA
A
V
C
C
Power dissipation
Forward current (DC)
Pulse forward current
Reverse voltage (DC)
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %
For optical control systems
Features
High-power output, high-efficiency : I
e
= 9 mW/sr (min.)
Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors
Good radiant power output linearity with respect to input current
Wide directivity :
θ
= 20 deg. (typ.)
Transparent epoxy resin package
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PDF描述
LNA2904L GaAs Infrared Light Emitting Diode
LNA2W01L GaAs Infrared Light Emitting Diode
LNA4401L GaAlAs Infrared Light Emitting Diode
LNA4501F GaAlAs Red Light Emitting Diode
LNA4602L GaAlAs Infrared Light Emitting Diode
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參數(shù)描述
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LNA2904L 功能描述:IR LED 950NM 20 DEG T1-3/4 RoHS:是 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR)
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LNA2W01L(LN57) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:光デバイス － 発光素子 － 赤外発光ダイオード
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