參數(shù)資料
型號： LS4150
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diode
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： LS4150
LS4150
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
2 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85562
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
Type
Symbol
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
C
D
t
rr
Min
0.54
0.66
0.76
0.82
0.87
Typ
Max
0.62
0.74
0.86
0.92
1.0
100
100
2.5
4
Unit
V
V
V
V
V
nA
nA
pF
ns
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=50V
V
R
=50V, T
j
=150 C
V
R
=0, f=1MHz, V
HF
=50mV
I
F
=I
R
=10...100mA, i
R
=0.1xI
R
,
R
L
=100
Reverse current
Diode capacitance
Reverse recovery time
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
40
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
80
120
160
0.01
0.1
1
10
100
I
R
200
94 9100
Scattering Limit
V
R
=50V
Figure 1. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
2.0
94 9162
Scattering Limit
T
j
=25
°
C
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
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PDF描述
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