參數(shù)資料
型號(hào)： LS4151
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diode
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： LS4151
LS4151
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
2 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85563
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Reverse voltage
Test Conditions
Type
Symbol
V
F
I
R
I
R
V
(BR)
C
D
t
rr
t
rr
Min
Typ
0.88
Max
1
50
50
Unit
V
nA
A
V
pF
ns
ns
I
F
=50mA
V
R
=50V
V
R
=50V, T
j
=150 C
I
R
=5 A, t
p
/T=0.01, t
p
=0.3ms
V
R
=0, f=1MHz, V
HF
=50mV
I
F
=I
R
=10mA, i
R
=1mA
I
F
=10mA, V
R
=6V, i
R
=0.1xI
R
,
R
L
=100
Breakdown voltage
Diode capacitance
Reverse recovery time
75
2
4
2
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
40
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
80
120
160
0.01
0.1
1
10
100
I
R
200
94 9151
Scattering Limit
V
R
=50V
Figure 1. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
2.0
94 9152
T
j
=25
°
C
T
j
=100
°
C
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
0.1
1
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
C
D
V
R
– Reverse Voltage ( V )
100
94 9153
2.5
f=1MHz
T
j
=25
°
C
Figure 3. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
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