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參數(shù)資料
| 型號： | LT1101ISW#TR |
| 廠商： | Linear Technology |
| 文件頁數(shù)： | 12/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC AMP INSTR PREC MICRPWR 16SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,000 |
| 放大器類型： | 儀表 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 0.1 V/µs |
| 增益帶寬積： | 37kHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 6nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 250µV |
| 電流 - 電源： | 94µA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 2.2 V ~ 36 V，±1.1 V ~ 18 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-SO |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
5
LT1101
1101fa
ELECTRICAL CHARACTERISTICS V
S = ±15V, VCM = 0V, Gain = 10 or 100, 0°C ≤ TA ≤ 70°C, unless
otherwise noted.
LT1101AC
LT1101C/S
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
UNITS
GE
Gain Error
G = 100, VO = ±10V, RL = 50k
0.055
0.014
0.080
%
G = 100, VO = ±10V, RL = 2k
0.018
0.085
0.020
0.100
%
G = 10, VO = ±10V, RL = 50k or 2k
0.009
0.055
0.010
0.080
%
TCGE
Gain Error Drift
G = 100, RL = 50k
1
4
1
5
ppm/°C
(Note 2)
G = 100, RL = 2k
2
7
2
9
ppm/°C
G = 10, RL = 50k or 5k
1
4
1
5
ppm/°C
GNL
Gain Nonlinearity
G = 100, RL = 50k
9
25
10
35
ppm
G = 100, RL = 2k
33
75
36
100
ppm
G = 10, RL = 50k or 2k
4
10
4
11
ppm
VOS
Input Offset Voltage
70
250
85
350
V
LT1101SW
300
800
V
VOS/T Input Offset Voltage Drift
(Note 2)
0.4
2.0
0.5
2.8
V/°C
LT1101SW
1.2
4.5
V/°C
lOS
Input Offset Current
0.14
0.70
0.17
1.10
nA
IOS/T
Input Offset Current Drift
(Note 2)
0.5
4.0
0.8
7.0
pA/°C
IB
Input Bias Current
6
9
6
11
nA
IB/T
Input Bias Current Drift
(Note 2)
10
25
10
30
pA/°C
CMRR
Common Mode
G = 100, VCM = –14.4V to 13V
98
112
96
112
dB
Rejection Ratio
G = 100, VCM = –13V to 11.5V
82
100
80
99
dB
PSRR
Power Supply
VS = 2.5, –0.1V to ±18V
100
112
97
112
dB
Rejection Ratio
IS
Supply Current
98
148
100
170
A
VO
Maximum 0utput
RL = 50k
±12.5
±14.1
±12.5
±14.1
V
Voltage Swing
RL = 2k
±10.5
±13.0
±10.5
±13.0
V
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參數(shù)描述 |
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