ELECTRICAL CHARACTERISTICS V S = ±15V, V" />
參數(shù)資料
型號(hào)： LT1167IS8-1#TRPBF
廠商： Linear Technology
文件頁(yè)數(shù)： 17/22頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC INSTRUMENT AMP PROG 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
放大器類型： 儀表
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 1.2 V/µs
增益帶寬積： 1MHz
電流 - 輸入偏壓： 80pA
電壓 - 輸入偏移： 20µV
電流 - 電源： 900µA
電流 - 輸出 / 通道： 27mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4.6 V ~ 36 V，±2.3 V ~ 18 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SO
包裝： 帶卷 (TR)
LT1167
4
1167fc
ELECTRICAL CHARACTERISTICS V
S = ±15V, VCM = 0V, TA = 25°C, RL = 2k, unless otherwise noted.
The
l denotes the specifications which apply over the full operating temperature range, otherwise specifications are at TA = 25°C.
VS = ±15V, VCM = 0V, 0°C ≤ TA ≤ 70°C, RL = 2k, unless otherwise noted.
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS (NOTE 7)
LT1167AC/LTC1167AI
LT1167AC-1/LTC1167AI-1
LT1167C/LTC1167I
LT1167C-1/LTC1167I-1
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
IOUT
Output Current
20
27
20
27
mA
BW
Bandwidth
G = 1
G = 10
G = 100
G = 1000
1000
800
120
12
1000
800
120
12
kHz
SR
Slew Rate
G = 1, VOUT = ±10V
0.75
1.2
0.75
1.2
V/μs
Settling Time to 0.01%
10V Step
G = 1 to 100
G = 1000
14
130
14
130
μs
RREFIN
Reference Input Resistance
20
kΩ
IREFIN
Reference Input Current
VREF = 0V
50
μA
VREF
Reference Voltage Range
–VS + 1.6
+VS – 1.6 –VS + 1.6
+VS – 1.6
V
AVREF
Reference Gain to Output
1 ±0.0001
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS (NOTE 7)
LT1167AC/LT1167AC-1
LT1167C/LT1167C-1
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
Gain Error
G = 1
G = 10 (Note 2)
G = 100 (Note 2)
G = 1000 (Note 2)
l
0.01
0.08
0.09
0.14
0.03
0.30
0.33
0.012
0.100
0.120
0.140
0.04
0.33
0.35
%
Gain Nonlinearity
VOUT = ±10V, G = 1
VOUT = ±10V, G = 10 and 100
VOUT = ±10V, G = 1000
l
1.5
3
20
10
15
60
3
4
25
15
20
80
ppm
G/T
Gain vs Temperature
G < 1000 (Note 2)
l
20
50
20
50
ppm/°C
VOST
Total Input Referred
Offset Voltage
VOST = VOSI + VOSO/G
VOSI
Input Offset Voltage
VS = ±5V to ±15V
l
18
60
23
80
μV
VOSIH
Input Offset Voltage Hysteresis
(Notes 3, 6)
3.0
μV
VOSO
Output Offset Voltage
VS = ±5V to ±15V
l
60
380
70
500
μV
VOSOH
Output Offset Voltage Hysteresis (Notes 3, 6)
30
μV
VOSI/T
Input Offset Drift (Note 8)
(Note 3)
l
0.05
0.3
0.06
0.4
μV/°C
VOSO/T
Output Offset Drift
(Note 3)
l
0.7
3
0.8
4
μV/°C
IOS
Input Offset Current
l
100
400
120
550
pA
IOS/T
Input Offset Current Drift
l
0.3
0.4
pA/°C
IB
Input Bias Current
l
75
450
105
600
pA
IB/T
Input Bias Current Drift
l
0.4
pA/°C
VCM
Input Voltage Range
G = 1, Other Input Grounded
VS = ±2.3V to ±5V
VS = ±5V to ±18V
l
–VS+2.1
+VS–1.3
+VS–1.4
–VS+2.1
+VS–1.3
+VS–1.4
V
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
1k Source Imbalance,
VCM = 0V to ±10V
G = 1
G = 10
G = 100
G = 1000
l
88
100
115
117
92
110
120
135
83
97
113
114
92
110
120
135
dB
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