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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LT4351CMS |
| 廠商： | LINEAR TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | JACK RJ45 8POS/2PORT RTANG PCB |
| 中文描述： | 0.67 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO10 |
| 封裝： | PLASTIC, MSOP-10 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/20頁(yè) |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | LT4351CMS |
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LT4351
15
sn4351 4351fs
APPLICATIOU
W
U
U
The die junction temperature is then computed as:
T
J
= T
A
+
θ
JA
P
TOTAL
where T
J
is the die junction temperature, T
A
is the ambient
temperature,
θ
JA
is the thermal resistance of the part
(120
°
C/W) and P
TOTAL
is ascertained from the above.
Therefore, a 0.1W power dissipation causes a 12 degree
temperature rise above ambient.
Design Example
The following demonstrates the calculations involved for
setting design components for a 5V system that requires
5A. Two supplies are used to do this. The V
IN
supply will
be deemed in spec when it is within
±
5% of nominal. Allow
5% of hysteresis for UV.
So,
UV
FAULT
= 4.75V, UV
HYST
= 0.25V
OV
FAULT
= 5.5
Two separate resistive dividers are used.
For the UV divider:
R
UV
I
UVHYST
V
A
k Use
25
k
R
R
V
UV
V
k
V
V
V
HYST
UV
–
FAULT
UV
2
0 25
10
24 9
1
2
24 9
4 75
.
–0 3
=
=
μ
=
)
=
=
.
.
.
0 3
R1 = 1.68k. The closest 1% value is 1.69k
Figure 14. Total Power (Typical)
Figure 13. P
GATE
vs V
IN
(V
DD
= V
IN
+ 10.7)
The OV resistors are set as a straight resistive divider.
If the current in the RA, RB divider is 200
μ
A, then:
R
R
OV
V
k
A
B
FAULT
OV
=
=
=
25.48k use 25.5k
=
=
0.3V
200 A
1.5k use 1.47k (1%)
then
R
R
A
B
–
.
.
–
.
1
5 5
0 3
1 1 47
For regulation, the MOSFETs must have:
R
mV
A
m
DS
<
=
15
2 5
1 5
.
This very low value cannot be accomplished with a single
set of MOSFETs so a decision must be made whether to
use multiple MOSFETs or to live with an unregulated
offset. Since low m
R
DS(ON)
is available, the IR drop
using a single FET would still be acceptable. For R
DS(ON)
=
4m
the drop is 2 5A 4m
= 40mV. The finished
schematic is shown in Figure 15.
V
IN
(V)
0
P
G
0.002
0.003
20
4351 F13
0.001
0
5
10
15
0.004
f
GATE
= 1kHz
Q
G
V
IN
(V)
0
P
0.10
0.12
20
4351 F14
0.08
0.06
5
10
15
0.16
0.14
L = 10
μ
H
L = 4.7
μ
H
V
DD
= V
IN
+ 10
0.5mA GATE CURRENT
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