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參數(shù)資料
| 型號： | LTC1155CS8 |
| 廠商： | LINEAR TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual High Side Micropower MOSFET Driver |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 9/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 340K |
| 代理商： | LTC1155CS8 |
9
LTC1155
Dual 2A Autoreset Electronic Fuse
U
S
A
O
PPLICATI
TYPICAL
U
S
A
O
PPLICATI
U
U
Overvoltage Protection
The MOSFET and load can be protected against overvolt-
age conditions by using the circuit of Figure 6. The drain
sense function is used to detect an overvoltage condition
and quickly discharge the power MOSFET gate. The 18V
zener diode conducts when the supply voltage exceeds
Figure 5. Reverse Battery Protection
1155 F05
LOAD
LTC1155
GND
GND
G1
DS1
V
S
IN1
V
S
= 4.5V TO 18V
C
DLY
R
SEN
R
DLY
100k
5V
300
1/4W
10
μ
F
25V
+
18.6V and pulls the drain sense pin 0.6V below the supply
pin voltage.
The supply voltage is limited to 18.6V and the gate drive is
immediately removed from the MOSFET to ensure that it
cannot conduct during the overvoltage period. The gate of
the MOSFET will be latched OFF until the supply transient
is removed and the input turned OFF and ON again.
Figure 6. Overvoltage Shutdown and Protection
1155 F06
LOAD
LTC1155
GND
GND
G1
DS1
V
S
IN1
V
S
= 4.5V TO 18V
510
10k
1N4148
18V
1155 TA03
0.03
10
μ
F
1/2 SI9956DY
30k
LTC1155
GND
IN1
IN2
DS2
V
S
DS1
0.03
G2
G1
0.1
μ
F
30k
0.1
μ
F
5V
100k
1/2 SI9956DY
1N4148
1N4148
OUT 1
OUT 2
100k
750k
1.0
μ
F
LMC555
6
1
2
3
8
4
f
O
= 1Hz
ALL COMPONENTS SHOWN ARE SURFACE MOUNT
+
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC1155 | Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs 20-PDIP 0 to 70 |
| LTC1155M | Dual High Side Micropower MOSFET Driver |
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| LTC1155IN8 | Dual High Side Micropower MOSFET Driver |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LTC1155I | 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Dual High Side Micropower MOSFET Driver |
| LTC1155IN8 | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
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