參數(shù)資料
型號(hào): LTC1444CS
廠商: Linear Technology
文件頁數(shù): 2/14頁
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描述: IC COMP W/REF LOWPWR QUAD 16SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
類型: 帶電壓基準(zhǔn)
元件數(shù): 4
輸出類型: CMOS,開路漏極,TTL
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 2 V ~ 11 V,±1 V ~ 5.5 V
電壓 - 輸入偏移(最小值): 10mV @ 5V
電流 - 輸出(標(biāo)準(zhǔn)): 0.015mA @ 5V
電流 - 靜態(tài)(最大值): 8.5µA
CMRR, PSRR(標(biāo)準(zhǔn)): 80dB CMRR,80dB PSRR
傳輸延遲(最大): 12µs
磁滯: 50mV
工作溫度: 0°C ~ 70°C
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安裝類型: 表面貼裝
包裝: 管件
LTC1443/LTC1444/LTC1445
10
144345fe
applicaTions inForMaTion
Level Detector
The LTC1444 is ideal for use as a multisupply micropower
level detector as shown in Figure 5.
R1 and R2 form a voltage divider from V1 to the non-
inverting comparator A input. R6 and R7 are used to
divide down V2, while R8 is the output pull-up resistor
for the comparator outputs. R3 and R4 set the hysteresis
voltage and R5 and C1 bypass the reference output.
IN A+
5
OUT B
OUT A
V+
R3
15k, 1%
R5
430
5%
R4
2.4M
1%
C1
1.0F
IN A
HYST
REF
4
14
8
IN B+
7
IN B
6
+
144345 F05
1/2LTC1444
3
9
2
1
R1
1.21M
1%
R2
3.40M
1%
V1
R7
1.21M
1%
R6
1.82M
1%
V2
R8
2M
1%
5V
+
V
1.2V
+–
Figure 5. Glitch-Free Level Detector with Hysteresis
The following design procedure can be used to select the
component values:
1. Choose the V1 voltage trip level, in this example 4.65V.
2. Calculate the required resistive divider ratio.
Ratio = VREF/VIN
Ratio = 1.221V/4.65V = 0.263
3. Choosetherequiredhysteresisvoltagebandattheinput,
VHBIN, in this example 60mV. Calculate the hysteresis
voltage band referred to the comparator input VHB.
VHB = (VHBIN)(Ratio)
VHB = (60mV)(0.263)
VHB = 15.78mV
4. Choose the values for R3 and R4 to set the hysteresis.
R4 = 2.4M
R3(kΩ) = VHB = 15k
5. Choose the values for R1 and R2 to set the trip point.
R1 = VREF/IBIAS = 1.221V/1A ≈ 1.21M
R2
= R1
( )
VIN
VREF +
VHB
2
1
R2
= 1.21M
(
)
4.65V
1.221V
+ 15mV
2
1
R2
= 3.40M
Using the same equations, R6 and R7 are 1.82M and
1.21M, respectively, to set the trip level at 3V for V2.
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PDF描述
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