t0 ENC Period (Note 9) q 15.3 2000 ns
參數(shù)資料
型號： LTC1742IFW#TRPBF
廠商： Linear Technology
文件頁數(shù)： 15/20頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ADC 14BIT 65MSPS 48-TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,800
位數(shù)： 14
采樣率（每秒）： 65M
數(shù)據(jù)接口： 并聯(lián)
轉(zhuǎn)換器數(shù)目： 1
功率耗散（最大）： 1.38W
電壓電源： 單電源
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 48-TSSOP
包裝： 帶卷 (TR)
輸入數(shù)目和類型： 2 個單端，雙極；1 個差分，雙極
4
LTC1742
1742f
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
t0
ENC Period
(Note 9)
q
15.3
2000
ns
t1
ENC High
(Note 8)
q
7.3
1000
ns
t2
ENC Low
(Note 8)
q
7.3
1000
ns
t3
Aperture Delay
(Note 8)
0
ns
t4
ENC to CLKOUT Falling
CL = 10pF (Note 8)
q
1
2.4
4
ns
t5
ENC to CLKOUT Rising
CL = 10pF (Note 8)
t1 + t4
ns
For 65Msps 50% Duty Cycle
CL = 10pF (Note 8)
q
8.7
10.1
11.7
ns
t6
ENC to DATA Delay
CL = 10pF (Note 8)
q
2
4.9
7.2
ns
t7
ENC to DATA Delay (Hold Time)
(Note 8)
q
1.4
3.4
4.7
ns
t8
ENC to DATA Delay (Setup Time)
CL = 10pF (Note 8)
t0 – t6
ns
For 65Msps 50% Duty Cycle
CL = 10pF (Note 8)
q
8.2
10.5
13.4
ns
t9
CLKOUT to DATA Delay (Hold Time),
(Note 8)
q
7ns
65Msps 50% Duty Cycle
t10
CLKOUT to DATA Delay (Setup Time),
CL = 10pF (Note 8)
q
3ns
65Msps 50% Duty Cycle
t11
DATA Access Time After OE
CL = 10pF (Note 8)
10
25
ns
t12
BUS Relinquish
(Note 8)
10
25
ns
Data Latency
5
cycles
The q indicates specifications which apply over the full operating temperature
range, otherwise specifications are at TA = 25°C. (Note 5)
TI I G CHARACTERISTICS
U
W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VDD
Positive Supply Voltage
4.75
5.25
V
IDD
Positive Supply Current
q
255
275
mA
PDIS
Power Dissipation
q
1.275
1.375
W
OVDD
Digital Output Supply Voltage
0.5
VDD
V
The q indicates specifications which apply over the full operating temperature
range, otherwise specifications are at TA = 25°C. (Note 5)
POWER REQUIRE E TS
W
U
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VIH
High Level Input Voltage
VDD = 5.25V, MSBINV and OE
q
2.4
V
VIL
Low Level Input Voltage
VDD = 4.75V, MSBINV and OE
q
0.8
V
IIN
Digital Input Current
VIN = 0V to VDD
q
±10
A
CIN
Digital Input Capacitance
MSBINV and OE Only
1.5
pF
VOH
High Level Output Voltage
OVDD = 4.75V
IO = –10A
4.74
V
IO = – 200A
q
4
4.74
V
VOL
Low Level Output Voltage
OVDD = 4.75V
IO = 160A
0.05
V
IO = 1.6mA
q
0.1
0.4
V
IOZ
Hi-Z Output Leakage D13 to D0
VOUT = 0V to VDD, OE = High
q
±10
A
COZ
Hi-Z Output Capacitance D13 to D0
OE = High (Note 8)
q
15
pF
ISOURCE
Output Source Current
VOUT = 0V
– 50
mA
ISINK
Output Sink Current
VOUT = 5V
50
mA
The q indicates specifications which apply over the full
operating temperature range, otherwise specifications are at TA = 25°C. (Note 5)
DIGITAL I PUTS A D DIGITAL OUTPUTS
U
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PDF描述
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