參數(shù)資料
型號(hào)： LTR-5579DP1BINA
廠商： LITE-ON ELECTRONICS INC
元件分類： 光敏三極管
英文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 184K
代理商： LTR-5579DP1BINA
LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
Property of Lite- O n Only
ELECTRICAL OPTICAL CHARACTERISTICS AT TA=25℃
℃
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX
UNIT
TEST
CONDITION
BIN No.
Color
Marking
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
30
V
Ic = 1mA
Ee = 0mW/c㎡
Emitter-Collector
Breakdown Voltage
V(BR)ECO
5
V
IE = 100μA
Ee = 0mW/c㎡
Collector Emitter
Saturation Voltage
VCE(SAT)
0.1
0.4
V
Ic = 50μA
Ee = 1.0mW/c㎡
Rise Time
Tr
15
μs
Fall Time
Tf
18
μs
Vcc = 5V
Ic = 1mA
RL = 1KΩ
Collector Dark Current
ICEO
0.1
100
nA
VCE = 10V
Ee = 0mW/c㎡
On Stage Collector Current Ratio
(IL1/IL2)
R
0.8
1.0
1.2
100
200
BIN A
Red
200
300
BIN B
Black
300
400
BIN C
Green
Average On State Collector
Current Range Setting of
LITE-ON Production (IL1+IL2) / 2
IC(ON)
400
500
μA
VCE = 5V
Ee = 1mW/c㎡
BIN D
Blue
80
240
BIN A
Red
160
360
BIN B
Black
240
480
BIN C
Green
Average On State Collector
Current Range Q.C Limits
(IL1+IL2) / 2
IC(ON)
320
600
μA
VCE = 5V
Ee = 1mW/c㎡
BIN D
Blue
On State Collector Current Test Method
Notes: 1. IR source package face to DUT lead frame.
2. IR source bias level calibrated for 1mW/c㎡ at DUT.
3. IL shown is one of two emitter currents, IL1 and IL2.
Part No. : LTR-5579DP1 DATA SHEET
Page :
3
of
4
BNS-OD-C131/A4
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PDF描述
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參數(shù)描述
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