參數(shù)資料
型號(hào)： LXE18300X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 51K
代理商： LXE18300X
1997 Feb 18
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LXE18300X
PACKAGE OUTLINE
handbook, full pagewidth
0.15 max
3.3
2.9
12.85 max
6
max
1.6 max
23 max
3
seating plane
MBC881
2
1
3.7
max
2.7
min
10.3
10.0
9.85
max
2.7
min
8.25
16.5
3.3
Fig.4 SOT439A.
Dimensions in mm.
Torque on screws: max. 0.4 Nm.
Recommended screw: M3.
Recommended pitch for mounting screws: 19 mm.
MAINTENANCE TYPE - NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SEE INDEX SECTION OF SC15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LXE18400X NPN microwave power transistor
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參數(shù)描述
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LXES03AAA1-098 功能描述:ESD 抑制器 0.05pF 15volts 1MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 擊穿電壓:8 V 電容:45 pF 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C
LXES03AAA1-134 功能描述:TVS DIODE 6.3VWM 0201 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:6.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:- 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:0.035pF @ 1MHz 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0201（0603 公制） 供應(yīng)商器件封裝:603 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
LXES03AAA1-154 功能描述:TVS DIODE 4VWM 0201 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:4V 電壓 - 擊穿（最小值）:- 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:0.05pF @ 1MHz 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0201（0603 公制） 供應(yīng)商器件封裝:603 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
LXES03BAA1-110 制造商:Murata Manufacturing Co Ltd 功能描述:TVS DIODE 5VWM SMD
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