MBR40035CTRL

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MBR40035CTRL 技術(shù)參數(shù)

MBR40035CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 35V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 MBR40035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 35V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 MBR400100CTR 功能描述:DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:840mV @ 200A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 MBR400100CT 功能描述:DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:840mV @ 200A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 MBR3560R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 60V DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 35A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1.5mA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 MBR40060CT MBR40060CTR MBR40080CT MBR40080CTR MBR40100CT MBR40100PT C0G MBR40100PTE3/TU MBR40100PTHC0G MBR40100WT MBR40150CT MBR40150PT C0G MBR40150PTE3/TU MBR40150PTHC0G MBR40150WT MBR4015CTL MBR4015CTLG MBR4015LWT MBR4015LWTG