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MCH4009-TL-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • MCH4009-TL-E
    MCH4009-TL-E

    MCH4009-TL-E

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 11175

  • SANYO

  • SOT343

  • 1234+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • MCH4009-TL-E
    MCH4009-TL-E

    MCH4009-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • SOT-343

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • MCH4009-TL-E
    MCH4009-TL-E

    MCH4009-TL-E

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部:中航路都會電子3C002B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 69000

  • SANYO

  • SOT-343

  • 10+

  • -
  • 原裝可以供更多

  • 1/1頁 40條/頁 共29條 
  • 1
MCH4009-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT)
  • 系列
  • -
  • 產(chǎn)品變化通告
  • Product Discontinuation 17/Dec/2010
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 4.7V
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換
  • 47GHz
  • 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率)
  • 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
  • 增益
  • 9dB ~ 31dB
  • 功率 - 最大
  • 160mW
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
  • 160 @ 25mA,3V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 45mA
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 4-SMD,扁平引線
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 4-TSFP
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 其它名稱
  • BFP 740FESD E6327DKR
MCH4009-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 900mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 2A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):800mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):890 毫歐 @ 400mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH185FN473ZK 功能描述:0.047μF 50V 陶瓷電容器 Y5V(F) 0603(1608 公制) 0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm) 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電容:0.047μF 容差:-20%,+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數(shù):Y5V(F) 安裝類型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級:- 封裝/外殼:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安裝(最大值):0.035"(0.90mm) 厚度(最大值):- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MCH5541-TL-E MCH5837-TL-E MCH5839-TL-H MCH5839-TL-W MCH5908G-TL-E MCH5908H-TL-E MCH6001-TL-E MCH6101-TL-E MCH6102-TL-E MCH6103-TL-E MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E MCH6203-TL-E MCH6320-TL-E
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