MCH4013-TL-E

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

MCH4013-TL-E
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ON SEMICO
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

MCH4013-TL-E
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部：中航路都會(huì)電子3C002B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
63000
SANYO
SOT-343
10+
-
原裝可以供更多

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1

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功能描述
TRANS NPN 15MA 3.5V MCPH4
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路
系列
*
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
1A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
30V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
200mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
300 @ 500mA，5V
功率 - 最大
710mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
MMBT489LT1GOSDKR

MCH4013-TL-E 技術(shù)參數(shù)

MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:4-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 900mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 2A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:800mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:890 毫歐 @ 400mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH5839-TL-H MCH5839-TL-W MCH5908G-TL-E MCH5908H-TL-E MCH6001-TL-E MCH6101-TL-E MCH6102-TL-E MCH6103-TL-E MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E MCH6203-TL-E MCH6320-TL-E MCH6320-TL-W MCH6321-TL-W