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MLF2012DR82MT

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  • MLF2012DR82MT000
    MLF2012DR82MT000

    MLF2012DR82MT000

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • MLF2012DR82MT
    MLF2012DR82MT

    MLF2012DR82MT

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937909

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • TDK

  • 2009

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • MLF2012DR82MT
    MLF2012DR82MT

    MLF2012DR82MT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • MLF2012DR82MT
    MLF2012DR82MT

    MLF2012DR82MT

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

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MLF2012DR82MT 技術參數
  • MLF2012DR82M 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±20% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82KTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82KT000 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82JTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR68MTD25 功能描述:680nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 600 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):600 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:140MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012E100MTD25 MLF2012E120JT000 MLF2012E120JTD25 MLF2012E120KT000 MLF2012E120KTD25 MLF2012E120M MLF2012E120MT MLF2012E120MT000 MLF2012E120MTD25 MLF2012E5R6JT000 MLF2012E5R6JTD25 MLF2012E5R6KT000 MLF2012E5R6KTD25 MLF2012E5R6M MLF2012E5R6MT MLF2012E5R6MT000 MLF2012E5R6MTD25 MLF2012E6R8JT000
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