2-222 Revision 4 DDR Module Specifications Input DDR Module Figure 2-142 Input DDR Timing Model Table" />
參數(shù)資料
型號(hào)： M1AFS250-1QNG180
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 155/334頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 2MB FLASH 250K 180-QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 184
系列： Fusion®
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 65
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 85°C
封裝/外殼： 180-WFQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 180-QFN（10x10）
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Device Architecture
2-222
Revision 4
DDR Module Specifications
Input DDR Module
Figure 2-142 Input DDR Timing Model
Table 2-179 Parameter Definitions
Parameter Name
Parameter Definition
Measuring Nodes (from, to)
tDDRICLKQ1
Clock-to-Out Out_QR
B, D
tDDRICLKQ2
Clock-to-Out Out_QF
B, E
tDDRISUD
Data Setup Time of DDR Input
A, B
tDDRIHD
Data Hold Time of DDR Input
A, B
tDDRICLR2Q1
Clear-to-Out Out_QR
C, D
tDDRICLR2Q2
Clear-to-Out Out_QF
C, E
tDDRIREMCLR
Clear Removal
C, B
tDDRIRECCLR
Clear Recovery
C, B
Input DDR
Data
CLK
CLKBUF
INBUF
Out_QF
(to core)
FF2
FF1
INBUF
CLR
DDR_IN
E
A
B
C
D
Out_QR
(to core)
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PDF描述
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