參數(shù)資料
型號： M24C16-R
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： The CAT24FC02 is a 2-kb Serial CMOS EEPROM internally organized as 256 words of 8 bits each
中文描述： 該CAT24FC02是一個2 KB的EEPROM的國內(nèi)256個8位每字舉辦的串行CMOS
文件頁數(shù)： 20/33頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： M24C16-R
DC and AC parameters
M24C16, M24C08, M24C04, M24C02, M24C01
20/33
Table 9.
Table 10.
DC characteristics (M24Cxx-W, Device Grade 3)
Symbol
Parameter
Test Condition
(in addition to those in
Table 6
)
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
(SCL, SDA, E0, E1,and E2)
V
IN
= V
SS
or
V
CC
, device in
Standby mode
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
or
V
CC,
SDA in Hi-Z
± 2
μA
I
CC
Supply Current
V
CC
=5V, f
C
=400kHz
(rise/fall time < 30ns)
3
mA
V
CC
=2.5V, f
C
=400kHz
(rise/fall time < 30ns)
3
mA
I
CC1
Stand-by Supply Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
, V
CC
= 5 V
5
μA
V
IN
= V
SS
or
V
CC
, V
CC
= 2.5 V
2
μA
V
IL
Input Low Voltage
(1)
1.
The voltage source driving only E0, E1 and E2 inputs must provide an impedance of less than 1k
.
–0.45
0.3V
CC
V
V
IH
Input High Voltage
(1)
0.7V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 2.1mA when V
CC
= 2.5V or
I
OL
= 3mA when V
CC
= 5.5V
0.4
V
DC characteristics (M24Cxx-R)
Symbol
Parameter
Test Condition
(in addition to those in
Table 7
)
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
(SCL, SDA, E0, E1,and E2)
V
IN
= V
SS
or
V
CC
, device in
Standby mode
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
or
V
CC,
SDA in Hi-Z
± 2
μA
I
CC
Supply Current
V
CC
=1.8V, f
c
=400kHz
(rise/fall time < 30ns)
0.8
mA
I
CC1
Stand-by Supply Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
,
1.8V < V
CC
< 2.5V
2.5 V
≤
V
CC
1.8 V
≤
V
CC
<
2.5 V
1
μA
V
IL
Input Low Voltage
(1)
1.
The voltage source driving only E0, E1 and E2 inputs must provide an impedance of less than 1k
.
–0.45
0.3 V
CC
V
–0.45
0.25 V
CC
V
V
IH
Input High Voltage
(1)
0.7V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 0.7 mA, V
CC
= 1.8 V
0.2
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M24C32 32K Serial IIC Bus EEPROM(32K串行IIC總線EEPROM)
M25P16-VMN6TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN3P 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN3TG 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN3TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M24C16-RBN6 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 5.5V 16K (2Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M24C16-RBN6P 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 16Kbit 8Kbit 4Kbit 2Kb and 1Kb Serial RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M24C16-RDS6TG 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 1.8-5.5V 16K (2Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M24C16-RDW6T 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 5.5V 16K (2Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M24C16-RDW6TP 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 1.8-5.5V 16K (2Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
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