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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25PE16-VMP6P |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/56頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | M25PE16-VMP6P |
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M25PE16
Memory organization
17/56
5
Memory organization
The memory is organized as:
8192 pages (256 Bytes each).
2,097,152 Bytes (8 bits each)
32 sectors (512 Kbits, 65536 Bytes each)
512 subsectors (32 Kbits, 4096 Bytes each)
●
●
●
●
Each page can be individually:
programmed (bits are programmed from 1 to 0)
erased (bits are erased from 0 to 1)
written (bits are changed to either 0 or 1)
●
●
●
The device is Page, Sector or Bulk Erasable (bits are erased from 0 to 1).
Table 4.
Memory organization
Sector Subsector
Address Range
Sector Subsector
Address Range
31
511
1FF000h
1FFFFFh
23
383
17F000h
17FFFFh
.
.
.
.
.
.
496
1F0000h
1F0FFFh
368
170000h
170FFFh
30
495
1EF000h
1EFFFFh
22
367
16F000h
16FFFFh
.
.
.
.
.
.
480
1E0000h
1E0FFFh
352
160000h
160FFFh
29
479
1DF000h
1DFFFFh
21
351
15F000h
15FFFFh
.
.
.
.
.
.
464
1D0000h
1D0FFFh
336
150000h
150FFFh
28
463
1CF000h
1CFFFFh
20
335
14F000h
14FFFFh
.
.
.
.
.
.
448
1C0000h
1C0FFFh
320
140000h
140FFFh
27
447
1BF000h
1BFFFFh
19
319
13F000h
13FFFFh
.
.
.
.
.
.
432
1B0000h
1B0FFFh
304
130000h
130FFFh
26
431
1AF000h
1AFFFFh
18
303
12F000h
12FFFFh
.
.
.
.
.
.
416
1A0000h
1A0FFFh
288
120000h
120FFFh
25
415
19F000h
19FFFFh
17
287
11F000h
11FFFFh
.
.
.
.
.
.
400
190000h
190FFFh
272
110000h
110FFFh
24
399
18F000h
18FFFFh
16
271
10F000h
10FFFFh
.
.
.
.
.
.
384
180000h
180FFFh
256
100000h
100FFFh
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE16-VMP6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE16-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE16-VMW6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE16-VMW6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE16-VMW6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PE16-VMP6TG | 功能描述:閃存 16 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25PE16-VMP6TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte-alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE16-VMW6G | 功能描述:閃存 16 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25PE16-VMW6P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte-alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE16-VMW6TG | 功能描述:閃存 16 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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