參數(shù)資料
型號(hào): M27512-20F6
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM
中文描述: NMOS管為512k 64KX8的紫外線存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù): 7/11頁(yè)
文件大小: 90K
代理商: M27512-20F6
AI00736B
tA9HVPH
tVPXA9X
A8
E
GVPP
A10 Set
VCC
tVPHEL
tA10LEH
tEXVPX
tA10HEH
A9
A10 Reset
tEXA10X
Figure 6. MARGIN MODE AC Waveform
AI00737
tVPLEL
PROGRAM
DATA IN
A0-A15
E
GVPP
Q0-Q7
DATA OUT
tAVEL
tQVEL
tVCHEL
tVPHEL
tEHQX
tEHVPX
tELEH
tELQV
tEHAX
tEHQZ
VERIFY
VALID
VCC
Figure 7. Programming and Verify Modes AC Waveforms
Note:
A8 High level = 5V; A9 High level = 12V.
M27512
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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M27512-2F1 功能描述:可擦除可編程ROM DISC BY STM 07/01 DIP-28 64KX8 200NS RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 類型: 存儲(chǔ)容量:1024 bit 組織:1 K x 1 接口類型: 工作電流:5 uA 編程電壓: 工作電源電壓:2.8 V to 6 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-92
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