參數(shù)資料
型號： M27512-25F6
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM
中文描述： NMOS管為512k 64KX8的紫外線存儲器
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： M27512-25F6
AI00736B
tA9HVPH
tVPXA9X
A8
E
GVPP
A10 Set
VCC
tVPHEL
tA10LEH
tEXVPX
tA10HEH
A9
A10 Reset
tEXA10X
Figure 6. MARGIN MODE AC Waveform
AI00737
tVPLEL
PROGRAM
DATA IN
A0-A15
E
GVPP
Q0-Q7
DATA OUT
tAVEL
tQVEL
tVCHEL
tVPHEL
tEHQX
tEHVPX
tELEH
tELQV
tEHAX
tEHQZ
VERIFY
VALID
VCC
Figure 7. Programming and Verify Modes AC Waveforms
Note:
A8 High level = 5V; A9 High level = 12V.
M27512
7/11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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M2764A-2F1 NMOS 64K 8K x 8 UV EPROM
M2764A-25 AVDVANCED 64K (8K x 8) UV ERASABLE PROM
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參數(shù)描述
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M275122FI 制造商:ST MICRO 功能描述:New
M27512-30F1 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 DISC BY SGS 11/95 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 存儲容量: 組織: 數(shù)據(jù)保留: 最大時鐘頻率: 最大工作電流: 工作電源電壓: 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
M27512-3F1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM
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