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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M27W512-100B6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
| 中文描述： | 512千位（64K的× 8）低壓紫外線EPROM和檢察官辦公室存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 369K |
| 代理商： | M27W512-100B6F |
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M27W512
12/21
Figure 9. Read Mode AC Waveforms
Table 9. Programming Mode DC Characteristics
Note: 1. T
A
= 25 °C; V
CC
= 6.25V ± 0.25V; V
PP
= 12.75V ± 0.25V
2. V
CC
must be applied simultaneously with or before V
PP
and removed simultaneously or after V
PP
.
Symbol
Parameter
Test Condition
(1,2)
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IL
≤
V
IN
≤
V
IH
±10
μA
I
CC
Supply Current
50
mA
I
PP
Program Current
E = V
IL
50
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.3
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 2.1mA
0.4
V
V
OH
Output High Voltage TTL
I
OH
= –1mA
3.6
V
V
ID
A9 Voltage
11.5
12.5
V
AI00735B
tAXQX
tEHQZ
A0-A15
E
G
Q0-Q7
tAVQV
tGHQZ
tGLQV
tELQV
VALID
Hi-Z
VALID
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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