- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359011 > M28F201 (意法半導(dǎo)體) 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28F201 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2 MB的256K × 8，芯片擦除閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | M28F201 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)當(dāng)前第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)
A
t
t
V
t
t
t
A
E
G
D
C
V
W
t
t
t
V
R
E
t
t
t
t
t
t
C
t
t
C
t
t
D
t
E
t
t
E
(
E
S
t
Figure8. EraseSet-up and Erase VerifyCommands Waveforms,W Controlled
12/21
M28F201
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28F201-120K1TR | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120K3R | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120K6R | Triple 3-Input Positive-NOR Gates 14-SOIC 0 to 70 |
| M28F201-120K6TR | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120N1R | 2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28F201-120K1 | 功能描述:閃存 PLCC-32 256KX8 120NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28F201-120K1R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120K1TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120K3R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F201-120K3TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。