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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28R400CTB120ZB6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（256Kb的x16插槽，引導(dǎo)塊）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 755K |
| 代理商： | M28R400CTB120ZB6T |
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Table 17. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if VPP is seen as a logic input (VPP < 2.2V).
Symbol
Alt
Parameter
M28R400C
Unit
90
120
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
Min
90
120
ns
tAVEH
tAS
Address Valid to Chip Enable High
Min
50
ns
tDVEH
tDS
Data Valid to Chip Enable High
Min
50
ns
tEHAX
tAH
Chip Enable High to Address Transition
Min
0
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Data Transition
Min
0
ns
tEHEL
tCPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
ns
tEHGL
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
30
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
50
ns
tELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
90
120
ns
tQVVPL
(1,2)
Output Valid to VPP Low
Min
0
ns
tQVWPL
Data Valid to Write Protect Low
Min
0
ns
tVPHEH
(1)
tVPS
VPP High to Chip Enable High
Min
200
ns
tWLEL
tCS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
tWPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
Min
50
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28R400CTB90ZB1T | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
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| M28R400CTT120ZB1T | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28W320ECT10N1F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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