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參數(shù)資料
| 型號： | M28W160BT |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆1兆x16插槽，低電壓啟動座快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 43/50頁 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M28W160BT |
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M28W160ECT, M28W160ECB
Figure 20. Erase Flowchart and Pseudo Code
Note: If an error is found, the Status Register must be cleared before further Program/Erase operations.
Write 20h
AI03541b
Start
Write Block
Address & D0h
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
YES
b4, b5 = 1
VPP Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error (1)
NO
NO
b5 = 0
Erase Error (1)
End
YES
NO
b1 = 0
Erase to Protected
Block Error (1)
YES
erase_command ( blockToErase ) {
writeToFlash (any_address, 0x20) ;
writeToFlash (blockToErase, 0xD0) ;
/* only A12-A20 are significannt */
/* Memory enters read status state after
the Erase Command */
} while (status_register.b7== 0) ;
do {
status_register=readFlash (any_address) ;
/* E or G must be toggled*/
if (status_register.b3==1) /*VPP invalid error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.b4==1) && (status_register.b5==1) )
/* command sequence error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.b1==1) /*program to protect block error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.b5==1) )
/* erase error */
error_handler ( ) ;
}
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M28W160BT100GB1T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M28W160BT100GB6T | 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W160BT100GBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160BT100N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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