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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28W160CB70N1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/50頁(yè) |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M28W160CB70N1T |
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M28W160ECT, M28W160ECB
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment
12., Operating and AC Measurement Conditions
.
Designers should check that the operating condi-
tions in their circuit match the measurement condi-
tions when relying on the quoted parameters.
Conditions
summarized
in
Table
Table 12. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 7. AC Measurement I/O Waveform
Figure 8. AC Measurement Load Circuit
Table 13. Capacitance
Symbol
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M28W160ECT, M28W160ECB
Units
70
85
90
100
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
V
DD
Supply Voltage
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
V
V
DDQ
Supply Voltage (V
DDQ
≤
V
DD
)
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
1.65
3.6
V
Ambient Operating Temperature
– 40
85
– 40
85
– 40
85
– 40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
50
50
50
50
pF
Input Rise and Fall Times
5
5
5
5
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
AI00610
VDDQ
0V
VDDQ/2
AI00609C
VDDQ
CL
CL includes JIG capacitance
25k
DEVICE
UNDER
TEST
0.1μF
VDD
0.1μF
VDDQ
25k
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160CB70ZB1S | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160CB70ZB1T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160CB85N1S | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160CB85N1T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160CB85ZB1S | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W160CB70N1U | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160CB70N6 | 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W160CB70N6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 16 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W160CB70N6E_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M28W160CB70N6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 16 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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