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參數(shù)資料
| 型號： | M28W320EBT10N6 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（處理器x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 6/45頁 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | M28W320EBT10N6 |
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M28W320EBT, M28W320EBB
14/45
Table 4. Commands
Note: 1. X = Don’t Care, RA=Read Address, RD=Read Data, SRD=Status Register Data, ID=Identifier (Manufacture and Device Code),
QA=Query Address, QD=Query Data, BA=Block Address, PA=Program Address, PD=Program Data, PRA=Protection Register Ad-
dress, PRD=Protection Register Data.
2. A0=VIL outputs Manufacturer code, A0=VIH outputs Device code. Address A7-A1 must be VIL.
3. Program Addresses 1 and 2 must be consecutive Addresses differing only for A0.
4. Program Addresses 1,2,3 and 4 must be consecutive Addresses differing only for A0 and A1.
5. 55h is reserved.
6. To be characterized.
Table 5. Read Electronic Signature
Note:
RP = VIH.
Commands
No. of
Cycles
Bus Write Operations
1st Cycle
2nd Cycle
3nd Cycle
Bus
Op.
Addr
Data
Bus
Op.
Addr
Data
Bus
Op.
Addr
Data
Read Memory Array
Write
X
FFh
Read
RA
RD
Read Status
Register
Write
X
70h
Read
X
SRD
Read Electronic
Signature
Write
X
90h
Read
SA(2)
IDh
Read CFI Query
Write
X
98h
Read
QA
QD
Erase
Write
X
20h
Write
BA
D0h
Program
Write
X
40h or
10h
Write
PA
PD
Double Word
Program(3)
Write
X
30h
Write
PA1
PD1
Write
PA2
PD2
Quadruple Word
Program(4)
Write
X
56h(6)
Write
PA1
PD1
Write
PA2
PD2
Write
PA3
PD3
Write
Clear Status
Register
Write
X
50h
Program/Erase
Suspend
Write
X
B0h
Program/Erase
Resume
Write
X
D0h
Code
Device
E
G
W
A0
A1-A7
A8-A20
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
Manufacture.
Code
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
20h
00h
Device Code
M28W320EBT
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
BCh
88h
M28W320EBB
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
BDh
88h
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W320EBT10N6T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB1 | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB1T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB6 | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB6T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W320EBT70ZB6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320ECB70ZB6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 32MBIT 2MX16 70NS 47TFBGA - Trays |
| M28W320ECB70ZB6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320ECT70ZB6 | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320ECT70ZB6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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