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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28W800BB70N1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，啟動(dòng)塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 22/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 369K |
| 代理商： | M28W800BB70N1T |
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M28W800CT, M28W800CB
22/49
Table 14. DC Characteristics
Symbol
I
LI
Input Leakage Current
I
LO
Output Leakage Current
I
DD
Supply Current (Read)
Supply Current (Stand-by or
Automatic Stand-by)
Parameter
Test Condition
0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
E = V
SS
, G = V
IH
, f = 5MHz
E = V
DDQ
± 0.2V,
RP = V
DDQ
± 0.2V
Min
Typ
Max
±1
±10
Unit
μA
μA
10
20
mA
I
DD1
15
50
μA
I
DD2
Supply Current
(Reset)
RP = V
SS
± 0.2V
15
50
μA
I
DD3
Supply Current (Program)
Program in progress
V
PP
= 12V ± 5%
Program in progress
V
PP
= V
DD
Erase in progress
V
PP
= 12V ± 5%
Erase in progress
V
PP
= V
DD
E = V
DDQ
± 0.2V,
Erase suspended
10
20
mA
10
20
mA
I
DD4
Supply Current (Erase)
5
20
mA
5
20
mA
I
DD5
Supply Current
(Program/Erase Suspend)
Program Current
(Read or Stand-by)
Program Current
(Read or Stand-by)
Program Current (Reset)
50
μA
I
PP
V
PP
> V
DD
400
μA
I
PP1
V
PP
≤
V
DD
5
μA
I
PP2
RP = V
SS
± 0.2V
Program in progress
V
PP
= 12V ± 5%
Program in progress
V
PP
= V
DD
Erase in progress
V
PP
= 12V ± 5%
Erase in progress
V
PP
= V
DD
5
μA
I
PP3
Program Current (Program)
10
mA
5
μA
I
PP4
Program Current (Erase)
10
mA
5
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
–0.5
0.4
0.8
V
V
V
V
V
DDQ
≥
2.7V
V
IH
Input High Voltage
V
DDQ
–0.4
0.7 V
DDQ
V
DDQ
+0.4
V
DDQ
+0.4
V
DDQ
≥
2.7V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA, V
DD
= V
DD
min,
V
DDQ
= V
DDQ
min
I
OH
= –100μA, V
DD
= V
DD
min,
V
DDQ
= V
DDQ
min
0.1
V
V
OH
Output High Voltage
V
DDQ
–0.1
V
V
PP1
Program Voltage (Program or
Erase operations)
Program Voltage
(Program or Erase
operations)
Program Voltage
(Program and Erase lock-out)
V
DD
Supply Voltage (Program
and Erase lock-out)
1.65
3.6
V
V
PPH
11.4
12.6
V
V
PPLK
1
V
V
LKO
2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W800BB70N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BB70ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BB70ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BB85N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BB85N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W800BB90N1 | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BB90ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BT100N6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BT90N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays |
| M28W800CB90N1 | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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